富士电机（中国）有限公司

有关高速分立器件IGBT“High-Speed W系列”产品的发售

更新时间：2015-12-16

富士电机株式会社，富士电机（中国）有限公司正式发售功率半导体的最新产品——超结功率※MOSFET“Super J MOS? S2/S2FD系列”，特此通知。

※一种MOSFET（场效应晶体管）结构。同传统的平面式结构相比，可降低单位面积的电阻。

1．背景
功率半导体是实现节能或稳定供电的关键器件，多被嵌入UPS、功率调节器等工业设备、通讯设备及家电产品等各类电气产品中。
近年来，随着全球能源需求的不断扩大，对节能的要求也日益提高。据预测，能够减少搭载设备耗电的超结功率MOSFET在2016年将达到1200亿日元的市场规模，并将以14%的速度逐年递增（出处：IMS）。
此次，我公司正式发售一款同以往的产品相比能够减少电流阻碍，从而实现节能的最新产品“Super J MOS? S2/S2FDx系列”。

2．产品特点
（1）降低通电时的电阻，实现搭载设备节能
和以往的产品（S1系列）相比，S2系列在相同芯片面积下通电时的电阻降低近25%。这将有助于实现搭载设备的节能，节约用电成本。

（2）实现内置二极管的快速恢复，减少开关损耗
S2FD系列的内置二极管开关所需时间（恢复时间）较S2系列缩短了近50%。在使用内置二极管的变频器电路等产品中应用本产品，不仅可以减少开关操作时的电能损耗，还能控制开关时瞬间产生的过电压（电涌电压）。这些特点将有助于实现搭载设备的节能，提高产品的可靠性。

3．产品规格

5．发售时间 4．应用对象
UPS、功率调节器、EV用快速充电器、服务器或通信基站、LED照明等

即日

6．产品相关问题的咨询处
富士电机（中国）有限公司 ?半导体营业本部 ?半导体营业部
?+86-21-5496-1177

【参考资料】产品阵容以及主要规格　

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