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助力数据中心和通信基站节约用电 发售第2代分立式SiC-SBD系列
更新时间:2021-11-17

    富士电机株式会社(法人代表董事兼社长:北泽通宏,总部:东京都品川区)推出的“第2代分立式SiC-SBD系列”功率半导体产品已开始上市发售,特此通知。该产品将有助于推动数据中心和通信基站等实现节电。

    Schottky Barrier Diode

 

1.背景

      随着DX(数字化转型)的启动、远程办公的日益普及以及互联网服务得到越来越广泛的应用,网络通信量与日俱增,数据中心和通信基站的设备投资加速。与此同时,电源设备的需求也在不断増加,电源设备当前的市场规模约为3,000亿日元,预计到2028年度将会增长至约4,500亿日元

    数据中心和通信基站的设备运转需要大量的直流电力,因此电源设备中一般配备有功率半导体(二极管),以便将电力公司供应的交流电高效转换(整流)为直流电。

    功率半导体在通电时会产生电力损耗(恒定损耗)。此次,我们针对数据中心和通信基站等的电源设备,开发并推出了“第2代分立式SiC-SBD系列”产品,该产品可通过降低电路内的恒定损耗来帮助设备实现节电

    我们将面向全球推广该产品,希望通过推进设备的节电为建设脱碳社会尽一份力。

    ※本公司根据IHS公司的资料进行的推算

 

2.产品特点

将电路板的厚度缩减至三分之一,实现低损耗

      要想降低功率半导体的电力损耗,方法之一是将作为元件的电路板加工得更薄,以缩短电流的传导距离。与本公司老款产品第1SiC-SBD系列相比,本产品所配备的SiC(碳化硅)电路板的厚度已降至其三分之一左右,同时,通过调整芯片结构,使恒定损耗降低了16%。我们运用公司特有的加工技术降低电路板厚度,从而打造出行业最高水平的薄度。此外,该产品还提高了对雷击引起的大电流的抵抗能力。这些对于提高其搭载设备的节能以及可靠性将会起到推动作用。

※额定电压650V产品

3.主要规格

 

※尚处于开发阶段(计划于20221月发售)

 

4.产品咨询部门
富士电机株式会社 半导体事业本部 营业统括部 营业第一部

03-5435-7152

 

【产品目录官网页面】

https://www.fujielectric.co.jp/products/semiconductor/catalog/

 

本新闻稿的内容产品规格及咨询部门、价格等)为截至发布当日的信息可能会在未事先通知的情况下变更。敬请谅解

 

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