富士电机推出业界最高水平低损耗“Super J-MOS系列”MOSFET

2011年12月22日
富士电机株式会社

富士电机株式会社(东京都品川区、代表取缔役社长：北泽通宏)推出业内最高水平的低损耗MOSFET“Super J-MOS系列”产品。

1．上市目的
如今，人们对地球环境越来越关心，在不断清洁化的IT领域及新能源等领域中，可实现高效电力变换的功率半导体受到广泛瞩目。
其中，MOSFET(注1)作为电力转换过程所使用的主要装置，对其降低损耗的要求越来越高。
此次，富士电机推出的Super J-MOS系列产品，采用具有新开发的低通态电阻特性的SJ结构(注2)，可大幅度地降低损耗。
据此，可通过提高设备的电力变换效率减少耗电，为实现低碳社会作贡献。

2．产品特点
・降低通态电阻70％(注3)，达到业内最高水平的低损耗。
・结合最新降低开关损耗的技术，使元器件总损耗降低14％(注4)。

3．主要规格(代表机型)

额定电压(V)	额定电流(A)	通态电阻(Ω)	封装	上市时期
600V	20A	0．19	TO-220F,TO-22O TO-3P,TO-247	即日
	30A	0．125	TO-220F,TO-22O TO-3P,TO-247	2012年　4月
	47A	0．07	TO-3P,TO-247	2012年　4月
	68A	0．04	TO-247	2012年　4月

4．主要用途
・服务器、不间断电源、播放设备等信息通信设备；
・面向太阳能电力调节器等新能源领域的电力变换装置等。

5．询问处
富士电机株式会社　营业本部　电力电子设备统括本部　第3统括部　营业第1部
☎ +81-03-5435-7256

【报道相关询问处】
富士电机株式会社宣传及IR部
☎ +81-03-5435-7206

注1　MOSFET：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应管。

注2　SJ结构：电荷非平衡Superjunction结构
其特点是，由于是使MOSFET的耐压层的p区和n区交互存在的结构，可使n区的杂质浓度提高，所以可大幅度降低阻值。
以往面状结构的MOSFET，由于是通过向高阻抗的n层延展电绝缘区(过流层)来确保耐压水平的，因此通态电阻无法降至一定值以下。
而SJ结构，是通过在n区形成p区，这既可以在纵向又可在横向延展过流层，因此，即使n层阻抗下降，依然可以确保耐压水平。据此，可实现超过以往面状结构理论极限的低通态电阻。

注3、4　与本公司以往产品相比

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